书目详细信息
： 功率半导体器件:原理、特性和可靠性
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-41727-9:CNY98.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi ger |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 功率半导体器件/.(德)Josef Lutz[等]著/.卞抗，杨莺，刘静译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2013 |
| 载体形态项： | 435页:;+24cm |
| 丛编项： | 国际电气工程先进技术译丛 |
| 相关题名附注： | 封面英文题名：Semiconductor power devices: physics, characteristics, reliability |
| 提要文摘： | 本书介绍了功率半导体器件的原理、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率继承器件等。 |
| 并列题名： | Semiconductor power devices: physics, characteristics, reliability eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 |
| 个人名称等同： | 卢茨 (德) (Lutz, Josef) 著 |
| 个人名称次要： | 卞抗 译 |
| 个人名称次要： | 杨莺 译 |
| 个人名称次要： | 刘静 (半导体器件) 译 |