图书馆

书目详细信息： PECVD法制备包埋硅量子点的氮化硅薄膜及其发光特性研究

ISBN/价格：	80.00元
作品语种：	chi
出版国别：	CN 220100
题名责任者项：	PECVD法制备包埋硅量子点的氮化硅薄膜及其发光特性研究/.王颖著
出版发行项：	长春:,长春光机与物理研究所:,2005.1
载体形态项：	61页:;+图:;+29cm
个人名称等同：	王颖著
记录来源：	CN 20050420

总体评分：（共0人）

我的评分：

收藏加入课程