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书目详细信息： 13nm Mo/Si多层膜残余应力研究

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《13nm Mo/Si多层膜残余应力研究》

ISBN/价格：	50.00元
作品语种：	chi
出版国别：	CN 220100
题名责任者项：	13nm Mo/Si多层膜残余应力研究/.向鹏著
出版发行项：	长春:,长春光机与物理研究所:,2004.1
载体形态项：	65页:;+图:;+29cm
个人名称等同：	向鹏著
记录来源：	CN 20040402

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